晶振为什么要加电容

晶振一般叫做晶体谐振器，是一种机电器件，是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成。这种晶体有一个很重要的特性，如果给他通电，他就会产生机械振荡，反之，如果给他机械力，他又会产生电，这种特性叫机电效应。他们有一个很重要的特点，其振荡频率与他们的形状，材料，切割方向等密切相关。由于石英晶体化学性能非常稳定，热膨胀系数非常小，其振荡频率也非常稳定，由于控制几何尺寸可以做到很精密，因此，其谐振频率也很准确。

晶振是石英振荡器的简称，英文名为Crystal，它是时钟电路中最重要的部件，它的作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率，它就像个标尺，工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定，自然容易出现问题。由于制造工艺不断提高，现在晶振的频率偏差、温度稳定性、老化率、密封性等重要技术指标都很好，已不容易出现故障，但在选用时仍可留意一下晶振的质量。

晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。

影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成RC振荡器（硅振荡器）。晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立RC振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。

选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。

晶体振荡器应用

1、通用晶体振荡器，用于各种电路中，产生振荡频率。

2、时钟脉冲用石英晶体谐振器，与其它元件配合产生标准脉冲信号，广泛用于数字电路中。

3、微处理器用石英晶体谐振器。

4、CTVVTR用石英晶体谐振器。

5、钟表用石英晶体振荡器。

晶振为什么要加电容

1、为了要满足谐振的条件。 具体讲就是：晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。不是所有晶体振荡电路都需要匹配电容。是否需要由振荡电路的形式决定，分析时需采用晶体的等效模型。

2、接地：晶体旁边的两个电容接地， 实际上就是电容三点式电路的分压电容， 接地点就是分压点。 以接地点即分压点为参考点， 振荡引脚的输入和输出是反相的， 但从并联谐振回路即石英晶体两端来看， 形成一个正反馈以保证电路持续振荡

当然，你也可以这样理解：

晶振的标称值在测试时有一个“负载电容”的条件，在工作时满足这个条件，振荡频率才与标称值一致，也就是说，只有连接合适的电容才能满足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。

晶振需要配多大电容

这要根据晶振的规格和电路中的因素来确定，同是16MHZ的晶体谐振器，其负载电容值有可能不一样，如10PF，20PF负载电容值是在其生产加工过程中确定的，无法进行改变。购买晶振时应该能得到准确的规格书。

晶振在电路中使用时，应满足CL=C+CS.

CL为规格书中晶振的负载电容值，C为电路中外接的电容值（一般由两颗电容通过串并联关系得到），CS为电路的分布电容，这和电路的设计，元器件分布等因素有关，值不确定，一般为3到5PF。

所以根据以上公式就可以大概推算出应该使用的电容值，而且这一电容值可以使晶振工作在其标称频率附近。

如：我用的430的单片机，8M晶振，配的是12pF的电容，其实容量的大小没必要多准确，几皮法到十几皮法都可以的。

在日常的电路设计中，我们经常用到晶振，而在晶振的两端我们经常看到有电容和电阻的身影，比如下方两个图。那么这样的电容和电阻究竟有何作用呢？它们的数值又是如何选取的呢？大家可以结合理论和实际项目给到自己的看法。

一文了解晶振搭配电容适配

晶振在现实应用中不可或缺，缺少晶振，目前实现的诸多技术将不再可用，如 PC 内部的时钟等。对于晶振，小编曾带来诸多介绍。而本文对晶振的讲解，主要在于解释晶振为何要搭配电容使用，并与大家共同探讨 16M 晶振应当搭配多大电容使用。

一、晶振为什么要配电容

晶振负载电容取值直接关系到调频的准确度。如果负载电容不够准确，那么买来的晶体准确度就会差。扬兴教你怎么计算负载电容，计算公式：晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd Cg)] Cic △C 式中 Cd，Cg 为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，Cic(集成电路内部电容) △C(PCB 上电容)一般为 3 至 5pf。

晶振为什么要加电容、需要配多大电容这要根据晶振的规格和电路中的因素来确定，同是 16MHZ 的晶体谐振器，其负载电容值有可能不一样，如 10PF，20PF。负载电容值是在其生产加工过程中确定的，无法进行改变。购买晶振时应该能得到准确的规格书。

晶振在电路中使用时，应满足 CL=C+CS.

·CL 为规格书中晶振的负载电容值，

·C 为电路中外接的电容值(一般由两颗电容通过串并联关系得到)，

CS 为电路的分布电容，这和电路的设计，元器件分布等因素有关，值不确定，一般为 3 到 5PF. 所以据以上公式就可以大概推算出应该使用的电容值，而且这一电容值可以使晶振工作在其标称频率附近。

如：我用的 430 的单片机，8M 晶振，配的是 12pF 的电容，其实容量的大小没必要多准确，几皮法到十几皮法都可以的。

估计都差不多，你看看芯片资料上应该有。单片机中的外接晶振为什么要并上两个电容 ?为什么好要接到啊?

1. 为了要满足谐振的条件。 具体讲就是：晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。不是所有晶体振荡电路都需要匹配电容。是否需要由振荡电路的形式决定，分析时需采用晶体的等效模型。

2. 接地：晶体旁边的两个电容接地， 实际上就是电容三点式电路的分压电容， 接地点就是分压点。 以接地点即分压点为参考点， 振荡引脚的输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看， 形成一个正反馈以保证电路持续振荡当然，你也可以这样理解： 晶振的标称值在测试时有一个“负载电容”的条件，在工作时满足这个条件，振荡频率才与标称值一致，也就是说，只有连接合适的电容才能满足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。

二、16M 晶振要配多大电容

晶振分有源晶振和无源晶振。

对于有源晶振，是指自己内部集成有振荡电路的，加上电源后自己可以产生波形的，大部分都是默认 15pF 负载 Max 的，当负载过大时，波形可能会变形。不过也有一部分产品采用的是大负载的 IC，负载可达 50pF Max，这种产品一般要单独订做。

对于无源晶振，一般也叫晶体。需要有外加的电路才能起振的，所需的负载一般和使用的环境等有关，这多是由电路的设计中决定的，负载小到 5pF，大到 100pF 以上都有。这个负载电容影响晶振的工作频率。 这要根据晶振的规格和电路中的因素来确定，同是 16MHZ 的晶体谐振器，其负载电容值有可能不一样，如 10PF，20PF。负载电容值是在其生产加工过程中确定的，无法进行改变。购买晶振时应该能得到准确的规格书。晶振在电路中使用时，应满足 CL=C+CS.CL CL 为规格书中晶振的负载电容值，C 为电路中外接的电容值(一般由两颗电容通过串并联关系得到)，CS 为电路的分布电容，这和电路的设计，元器件分布等因素有关，值不确定，一般为 3 到 5PF. 所以根据以上公式就可以大概推算出应该使用的电容值，而且这一电容值可以使晶振工作在其标称频率附近。

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