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晶振有源和无源的区别 什么是无源晶振与有源晶振?它们有什么区别?
发布时间 : 2024-10-05
作者 : 小编
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什么是无源晶振与有源晶振?它们有什么区别?

无源晶振与有源晶振的英文名称不同,无源晶振为crystal(晶体),而有源晶振则叫做oscillator(振荡器)。

无源晶振是有2个引脚的无极性元件,需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来。无源晶振需要用芯片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法。无源晶振没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的晶振可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体,这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。无源晶振相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差,通常需要精确匹配外围电路(用于信号匹配的电容、电感、电阻等),更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。使用时建议采用精度较高的石英晶体,尽可能不要采用精度低的陶瓷晶体。

有源晶振有4只引脚,是一个完整的振荡器,其中除了石英晶体外,还有晶体管和阻容元件,因此体积较大。有源晶振不需要芯片的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路。相对于无源晶体,有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的,需要选择好合适输出电平,灵活性较差,价格相对较高。对于时序要求敏感的应用,还是有源的晶振好,因为可以选用比较精密的晶振,甚至是高档的温度补偿晶振。有些DSP内部没有起振电路,只能使用有源的晶振,如TI的6000系列等。有源晶振相比于无源晶体通常体积较大,但现在许多有源晶振是表贴的,体积和晶体相当,有的甚至比许多晶体还要小。

晶振型号众多,而且每一种型号的引脚定义都有所不同,接法也不同。通常:有个点标记的为1脚,按逆时针(管脚向下,即顶视)分别为2、3、4。通常的用法:一脚悬空,二脚接地,三脚接输出,四脚接电压。

方形有源晶振引脚分布

1、正方的,使用DIP-8封装,打点的是1脚。

1-NC; 4-GND; 5-Output; 8-VCC

2、长方的,使用DIP-14封装,打点的是1脚。

1-NC; 7-GND; 8-Output; 14-VCC

1、电源有两种,一种是TTL,只能用5V,一种是HC的,可以3.3V/5V

2、有些封装边沿有一个是尖角,三个圆角。尖角的是一脚,和打点一致。

石英晶体封装类型:49/U,49/T,UM-5,49/S,尺寸:5X7mm,6X3.5mm,5X3.2mm,4X2.5mm

贴片晶振(OSC)尺寸:SMD(3.2×5,6X3.5,5X7,3.2×5,6X3.5,5X7) .

全尺寸、半尺寸晶振:49/U、49/T、49/S、49/SMD、50/U/0/T、UM-1、UM-5.

圆柱形晶振尺寸:1.5ⅹ5、2ⅹ6、3ⅹ8、3ⅹ9、3ⅹ10 .

#技能改变生活#怎么样区分晶振有源与无源的差别

晶振在电路中就相当于人的一个心脏,晶振为电路提供了一个时钟信号。有源晶振比较贵,但是有源晶振自身就能震动。而无论是无源晶振,还是有源晶振,都有自身的优点和缺点所在,若考虑产品成本,建议可以选择无源晶振电路;若考虑产品性能,建议选择有源晶振电路,省时方便也能保证产品性能。下面就详细从各方面谈一下各自的优势:

在运用并联谐振形式时负载电容是晶体一个主要的目标。在该形式傍边,晶体的总电抗出现理性,与振动器的负载电容并联,构成了LC谐振回路,决议了振动器的频率。当负载电容值改动后,输出频率也随之改动。因而,晶体的生产商有必要知道振动器电路中的负载电容,这么能够在工厂中运用同样的负载电容来校准。晶振是一种频率控制元器件,有很多种分类,性能上我们可以分为无源晶振和有源晶振,材质上我们可以分为石英晶振,陶瓷晶振,从焊接上可以分为贴片晶振和插件晶振等等.

假如运用谐振在不一样的负载电容上的晶体,那么晶体频率将违背额外的作业频率,这么参阅频率将引进差错。因而,需求增加外部电容,改动负载电容,使晶体从头振动到需求的作业频率上。  晶振上的电阻  晶振输入输出衔接的电阻效果是发生负反应,确保扩大器作业在高增益的线性区,通常在M欧级,输出端的电阻与负载电容构成网络,提供180度相移,一起起到限流的效果,防止反向器输出对晶振过驱动,损坏晶振。  和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过火驱动。晶振过火驱动的结果是将逐渐损耗削减晶振的接触电镀,这将致使频率的上升,并致使晶振的前期失效,又能够讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。  Xin和Xout的内部通常是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震动的.因而,在反相器的两头并联一个电阻,由电阻完结将输出的信号反向 180度反应到输入端构成负反应,构成负反应扩大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联联系,自个想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?  电阻的效果是将电路内部的反向器加一个反应回路,构成扩大器,当晶体并在其间会使反应回路的交流等效按照晶体频率谐振,因为晶体的Q值十分高,因而电阻在很大的规模变化都不会影响输出频率。过去,从前实验此电路的稳定性时,试过从100K~20M都能够正常启振,但会影响脉宽比的。

晶体的Q值十分高, Q值是什么意思呢? 晶体的串联等效阻抗是 Ze=Re+jXe,Re<<|jXe|,晶体通常等效于一个Q很高很高的电感,相当于电感的导线电阻很小很小。Q通常到达10^-4量级。  防止信号太强打坏晶体的。电阻通常比较大,通常是几百K。  串进入的电阻是用来约束振动起伏的,并进入的两颗电容依据LZ的晶振为几十MHZ通常是在20~30P左右,主要用与微调频率和波形,并影响起伏,并进入的电阻就要看ICspec了,有的是用来反应的,有的是为过EMI的对策。  但是转化为 并联等效阻抗后,Re越小,Rp就越大,这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的,所以,降低了Rp值----->增大了Re----->降低了Q。  准确的剖析还能够知道,对频率也会有很小很小的影响。

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